中國芯片製造核心裝備取得重要突破

【香港中通社1月17日電】據中核集團中國原子能科學研究院17日消息，由該院自主研製的中國首台串列型高能氫離子注入機（POWER-750H）成功出束，核心指標達到國際先進水平。

這標誌著中國已全面掌握串列型高能氫離子注入機的全鏈路研發技術，攻克了功率半導體製造鏈中的關鍵環節，為推動高端製造裝備自主可控、保障產業鏈安全奠定堅實基礎。

離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備並稱為芯片製造“四大核心裝備”，是半導體製造不可或缺的“剛需”設備。長期以來，中國高能氫離子注入機完全依賴國外進口，其研發難度大、技術壁壘高，是制約中國關鍵技術產業升級發展的瓶頸之一。

原子能院依託在核物理加速器領域數十年的深厚積累，以串列加速器技術作為核心手段，破解一系列難題，完全掌握了串列型高能氫離子注入機從底層原理到整機集成的正向設計能力，打破了國外企業在該領域的技術封鎖和長期壟斷。